ASML planea aumentar la producción de equipos de litografía de ultravioleta extremo
ASML, la empresa líder en la fabricación de equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) y alta apertura, ha anunciado su intención de incrementar la producción de estos equipos avanzados. A partir de 2025, la compañía planea entregar anualmente 20 de estas máquinas, esenciales en la fabricación de circuitos integrados. Intel, uno de los gigantes de la industria de semiconductores, ya ha incorporado uno de estos equipos en su planta de Hillsboro, Estados Unidos, donde se encuentra en fase de pruebas.
El equipo TWINSCAN EXE:5000 de ASML, una revolución en la fabricación de semiconductores
El equipo TWINSCAN EXE:5000 de ASML permite a los fabricantes de semiconductores producir chips de 2 nm y más allá. Un equipo UVE de alta apertura puede fabricar más de 200 obleas por hora, un hito que Intel todavía está lejos de alcanzar. Sin embargo, la primera fase de instalación y pruebas del equipo en la planta de Intel ha sido completada con éxito. Este logro es significativo ya que es la primera máquina de una nueva generación de equipos de litografía. El éxito de la primera exposición de prueba sobre una oblea tratada con productos químicos sensibles a la luz es un indicador positivo para el futuro.
Los planes de Intel para los próximos años y la carrera por la miniaturización
Intel tiene planes ambiciosos para los próximos años. La empresa planea iniciar la producción de chips en el nodo 10A en 2027. La litografía 14A será la primera en la que Intel utilizará los equipos UVE de alta apertura de ASML. Intel prevé que el nodo 20A esté listo en la primera mitad de 2024 y el nodo 18A en el segundo semestre del mismo año.
Es importante tener en cuenta que los nanómetros ya no reflejan fielmente la longitud de las puertas lógicas u otro parámetro físico. Cada fabricante de chips maneja los nanómetros con mucha libertad, lo que dificulta la comparación directa de las litografías. Intel equipara sus nodos 20A, 18A o 14A a las litografías de 2 nm, 1,8 nm y 1,4 nm de TSMC o Samsung.
La producción de chips en el nodo 10A, equivalente a las litografías de 1 nm de sus competidores, comenzará a finales de 2027. Sin embargo, la fabricación de semiconductores de 1 nm a gran escala llegará más tarde, posiblemente en 2028. Este es un paso importante en la carrera por la miniaturización y la eficiencia en la industria de los semiconductores.
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