ASML prévoit d’augmenter la production d’équipements de lithographie à ultraviolets extrêmes
ASML, l’entreprise leader dans la fabrication d’équipements de lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) et à grande ouverture, a annoncé son intention d’augmenter la production de ces équipements avancés. À partir de 2025, la société prévoit de livrer chaque année 20 de ces machines, essentielles à la fabrication de circuits intégrés. Intel, l’un des géants de l’industrie des semi-conducteurs, a déjà intégré l’un de ces équipements dans son usine de Hillsboro, aux États-Unis, où il est en phase de test.
L’équipement TWINSCAN EXE:5000 d’ASML, une révolution dans la fabrication de semi-conducteurs
L’équipe TWINSCAN EXE:5000 d’ASML permet aux fabricants de semi-conducteurs de produire des puces de 2 nm et au-delà. Un équipement UVE à haute ouverture peut fabriquer plus de 200 tranches par heure, un jalon qu’Intel est encore loin d’atteindre. Cependant, la première phase d’installation et de tests de l’équipement dans l’usine d’Intel a été réalisée avec succès. Cette réalisation est significative car c’est la première machine d’une nouvelle génération d’équipements de lithographie. Le succès de la première exposition d’essai sur une tranche traitée avec des produits chimiques sensibles à la lumière est un indicateur positif pour l’avenir.
Les plans d’Intel pour les prochaines années et la course à la miniaturisation
Intel a des plans ambitieux pour les prochaines années. L’entreprise prévoit de commencer la production de puces sur le nœud 10A en 2027. La lithographie 14A sera la première sur laquelle Intel utilisera les équipements UVE à haute ouverture d’ASML. Intel prévoit que le nœud 20A sera prêt dans la première moitié de 2024 et le nœud 18A dans la seconde moitié de la même année.
Il est important de noter que les nanomètres ne reflètent plus fidèlement la longueur des portes logiques ou tout autre paramètre physique. Chaque fabricant de puces gère les nanomètres avec beaucoup de liberté, ce qui rend difficile la comparaison directe des lithographies. Intel équipe ses nœuds 20A, 18A ou 14A aux lithographies de 2 nm, 1,8 nm et 1,4 nm de TSMC ou Samsung.
La production de puces sur le nœud 10A, équivalent aux lithographies de 1 nm de ses concurrents, commencera à la fin de 2027. Cependant, la fabrication de semi-conducteurs de 1 nm à grande échelle arrivera plus tard, peut-être en 2028. C’est une étape importante dans la course à la miniaturisation et à l’efficacité dans l’industrie des semi-conducteurs.
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