ASML planeja aumentar a produção de equipamentos de litografia de ultravioleta extremo
ASML, a empresa líder na fabricação de equipamentos de litografia de ultravioleta extremo (EUV) e alta abertura, anunciou sua intenção de aumentar a produção desses equipamentos avançados. A partir de 2025, a empresa planeja entregar anualmente 20 dessas máquinas, essenciais na fabricação de circuitos integrados. Intel, um dos gigantes da indústria de semicondutores, já incorporou um desses equipamentos em sua fábrica em Hillsboro, Estados Unidos, onde está em fase de testes.
O equipamento TWINSCAN EXE:5000 da ASML, uma revolução na fabricação de semicondutores
O equipamento TWINSCAN EXE:5000 da ASML permite aos fabricantes de semicondutores produzir chips de 2 nm e além. Um equipamento de alta abertura EUV pode fabricar mais de 200 wafers por hora, um marco que a Intel ainda está longe de alcançar. No entanto, a primeira fase de instalação e testes do equipamento na fábrica da Intel foi concluída com sucesso. Esta conquista é significativa pois é a primeira máquina de uma nova geração de equipamentos de litografia. O sucesso da primeira exposição de teste em um wafer tratado com produtos químicos sensíveis à luz é um indicador positivo para o futuro.
Os planos da Intel para os próximos anos e a corrida pela miniaturização
Intel tem planos ambiciosos para os próximos anos. A empresa planeja iniciar a produção de chips no nó 10A em 2027. A litografia 14A será a primeira em que a Intel usará os equipamentos de alta abertura EUV da ASML. A Intel prevê que o nó 20A esteja pronto na primeira metade de 2024 e o nó 18A no segundo semestre do mesmo ano.
É importante notar que os nanômetros já não refletem fielmente o comprimento dos portões lógicos ou outro parâmetro físico. Cada fabricante de chips lida com os nanômetros com muita liberdade, o que dificulta a comparação direta das litografias. A Intel equipara seus nós 20A, 18A ou 14A às litografias de 2 nm, 1,8 nm e 1,4 nm da TSMC ou Samsung.
A produção de chips no nó 10A, equivalente às litografias de 1 nm de seus concorrentes, começará no final de 2027. No entanto, a fabricação de semicondutores de 1 nm em larga escala chegará mais tarde, possivelmente em 2028. Este é um passo importante na corrida pela miniaturização e eficiência na indústria de semicondutores.
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